Why PolySi → HKMG

Jul 13, 2022 - Explore Davinci Metal gate's board Metal gate, followed by 1419 people on Pinterest. See more ideas about gate, metal, metal gates.

2019年6月15日 — 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

2023年6月11日 — 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K，Poly gate換成metal gate。 涉及材料學的特性，因為High-K都是金屬氧化物(如HfO2)，所以跟金屬的接面特性比較好 ...

2022年1月21日 — ... metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電晶體電流愈大，且可在相同的等效氧化層厚度（equivalent oxide thickness, EOT）下，以較 ...

2019年8月5日 — 高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) ...

A metal gate, in the context of a lateral metal–oxide–semiconductor (MOS) stack, is the gate electrode separated by an oxide from the transistor's channel ...

經過多年的發展與研究，高介電係數(high-k)絕緣層取代傳統SiO2絕緣層是一種有效的方式去解決閘極漏電問題，特別是HfO2。HfO2已經量產於通道長度32nm或更小尺寸的元件 ...

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

當元件微縮至深次微米尺度時，RTN(或著稱作RTS)可探討元件的缺陷位置以及電性上的分析。隨著元件尺寸的微縮，在元件氧化層的費米能階附近有機會存在單顆或是數顆的缺陷， ...